État de disponibilité: | |
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Quantité: | |
Application
Application sous vide
Laboratoire et recherche et développement
Industrie des semi-conducteurs
Emballage sous vide
Équipement de processus de gravure au plasma
Application
Application sous vide
Laboratoire et recherche et développement
Industrie des semi-conducteurs
Emballage sous vide
Équipement de processus de gravure au plasma
Caractéristiques
Caractéristiques
Paramètres techniques
Milieu de mesure | Divers gaz compatibles avec les matériaux de contact |
Plage de pression | 0~2Torr…1000Torr |
Précision | ±0,1%FS,±0,25%FS,±0,5%FS (sous réserve de la plage de mesure) |
Température de fonctionnement | -40 ~ 85 ℃ |
Tension d'alimentation | 10 ~ 30 V CC 8,5 ~ 30 VCC 12 ~ 30 V CC 10 ~ 30 V CC (sous réserve de sortie) |
Signal de sortie | 4 ~ 20 mADC, tension, RS485 |
Paramètres techniques
Milieu de mesure | Divers gaz compatibles avec les matériaux de contact |
Plage de pression | 0~2Torr…1000Torr |
Précision | ±0,1%FS,±0,25%FS,±0,5%FS (sous réserve de la plage de mesure) |
Température de fonctionnement | -40 ~ 85 ℃ |
Tension d'alimentation | 10 ~ 30 V CC 8,5 ~ 30 VCC 12 ~ 30 V CC 10 ~ 30 V CC (sous réserve de sortie) |
Signal de sortie | 4 ~ 20 mADC, tension, RS485 |
Application
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Industrie des semi-conducteurs
Emballage sous vide
Équipement de processus de gravure au plasma
Caractéristiques
Paramètres techniques
Milieu de mesure | Divers gaz compatibles avec les matériaux de contact |
Plage de pression | 0~2Torr…1000Torr |
Précision | ±0,1%FS,±0,25%FS,±0,5%FS (sous réserve de la plage de mesure) |
Température de fonctionnement | -40 ~ 85 ℃ |
Tension d'alimentation | 10 ~ 30 V CC 8,5 ~ 30 VCC 12 ~ 30 V CC 10 ~ 30 V CC (sous réserve de sortie) |
Signal de sortie | 4 ~ 20 mADC, tension, RS485 |